Adquisición de un equipo de depósito de capas atómicas (ALD) de óxido de aluminio, óxido de titanio y óxido de hafnio

de depósito químico de vapor mejorados con plasma cuales ofrecen películas delgadas dieléctricas amorfas. El proceso ALD consiste en el crecimiento de una película delgada por capas atómicas consecutivas. El hecho de disponer de un equipo ALD que además de aumentar la capacidad de fabricación, ofre

cerá uniformidad y conformidad de la película en cualquier escala y tendría un claro impacto sobre la calidad de la investigación realizada al igual que sobre las capacidades ofertadas por el Instituto NTC sería muy alto. ALD es la técnica