ICPCVD-Beschichtungsanlage

Universität Paderborn aufgestellt. Die Entwicklung von waferskaligen Bauelementen stellt große Anforderungen an die Wafergröße (bis zu 8 Zoll), die Strukturgröße und die Strukturhomogenitäten. Die bei niedrigen Abscheidungsdrücken und -temperaturen (?20°C) mittels der Anlage abgeschiedenen Schichten

sollen von hoher Qualität mit geringen Schäden und einer hohen nasschemischen Ätzbeständigkeit sein und eine hohe Konformität bzw. Stufenabdeckung aufweisen. Bei den abzuscheidenden Schichten soll es sich unter anderem um SiO2, Si3N4, SiOx