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Rahmenvertrag SiC Gap-Schalter

Deadline:03 Dec 2024, 00:00 CET

Tender information

TED EU

Darmstadt, Germany

Type
16
Procedure
neg-w-call
Ref. number
681825-2024
CPV
31712117

Entwicklung und Fertigung von schnellen Halbleiter-Gapschaltern auf Basis von Siliziumcarbid-Technologie (SiC). Ihr Einsatzgebiet ist das Kurzschließen von Hochfrequenzkavitäten in den Synchrotron- und Speicherringen bei

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