Acquisition, livraison et mise en service d’un équipement de gravure plasma de type ICP-RIE au sein de l’Institut des NanoSciences de Paris (INSP)

uérir un bâti de gravure plasma. Les principaux besoins auxquels devra répondre l’équipement sont les suivants: •Gravure de silicium de plusieurs dizaines de micromètres •Gravure profonde de Silicium de plus de 100 µm •Gravure d’oxydes (SiO2, TiO2) plusieurs micromètres •Gravure de métaux <100 nm L’

équipement attendu est une machine de gravure par plasma de type RIE-ICP (Reactive Ion Etching – Inductively Coupled Plasma) constitué de deux électrodes qui génèrent un plasma uniforme de haute densité à partir d’une source inductive, et d