SISTEMA DI RIMOZIONE DI MATERIALI IN PLASMA DELLA TIPOLOGIA RIE REACTIVE ION ETCHING

5 wafer di substrati da 150 mm, predisposti per trattare substrati da 200 mm.

SISTEMA DI RIMOZIONE DI MATERIALI IN PLASMA DELLA TIPOLOGIA RIE Reactive Ion Etching per la rimozione in plasma di Ossidi, Ossi-nitruri e Nitruri di silicio, Polisilicio, drogato e non drogato su lotti di produzione da 2