Le CEA Grenoble pour ses activités de recherche visant à développer les technologies SOI d'un diamètre de 10 nm et au-delà, le CEA-LETI souhaite acquérir un système LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) compact …
basé sur un seul tube vertical. Ce système devra traiter automatiquement des plaquettes de 300 mm destiné au dépôt de silicium non dopé et dopé (avec du bore ou du phosphore). Il comprends les options à réponses facultatives suivantes : Option 1 : Process 8 Amorphous silicon doped with carbon @525°C
(§2 du CdC) Option 2 : Echangeurs de chaleur / refroidisseurs (§3.2.6 du CdC) Option 3 : Transformateur (§4.1.4 du CdC) Option 4 : Formation Maintenance 1er niveau (§9 du CdC) Option 5 : Formation Maintenance Avancée (§9 du CdC) Option 6 :