Sputtercluster

d Halbleiter-Dünnschichten auf Substraten mit einem maximalen Durchmesser von 150 mm. Die Ausschreibung beinhaltet eine Kombi-Gerät mit Magnetron-Sputterquellen und Ionenstrahlätzanlage (ion beam etching IBE). Die Ausschreibung umfasst lediglich die spezifizierten Anlagen, die dafür benötigten Medie

n und Peripherien werden vom DLR separat bereitgestellt. Weitergehende Informationen sind der beigefügten Leistungsbeschreibung (Vertragsunterlagen) zu entnehmen.