ICP-RIE-Plasmaätzanlage für cryogenes Trockenätzen von Silizium, Siliziumdioxid u.ä.

en (Quarzglas /fused silica, Silizium, SiOxNy , Siliziumkarbid, hochbrechende Materialien, wie Ta2O5, Nb2O5, etc.) mittels Fluor-basierter Reaktivgasprozesse auch bei, aber nicht ausschließlich kryogenen Temperaturen um -130°C. Die Anlage mit Beladeschleuse (Loadlock, LL) muss das Prozessieren varia

bler Substratgrößen mittels Carrier ohne großen Bearbeitungs und Zeitaufwand ermöglichen. Ein schneller, variabler Wechsel der Substratelektrodenkühlung zwischen Kühlung mittels Tiefkältethermostat und Flüssig-Stickstoff ist anzustreben. Zu