Fourniture d’un équipement d’épitaxie basse température de type « RPCVD »

nt d’épitaxie à basse température de type RPCVD (« Reduced Pressure Chemical Vapor Deposition » en anglais ») doit être capable de réaliser une croissance par épitaxie intrinsèque et dopée in situ, non sélective et sélective (types N et P) de semi-conducteurs du groupe IV, à haute et basse températu

re (de 1100°C à 300°C) sur des plaquettes de silicium de 300 mm. Le marché comprend les options suivantes, qui sont levées à la notification du marché : - Option 5 : Systèmes de régulation de température, tel que décrit au paragraphe 3.2.6