CMP-Anlage IZHH

h-mechanischen Polieren (chemical-mechanical polishing CMP) benötigt. Mit diesem Verfahren sollen Silizium, Dielektrika und Metalle auf Wafern mit bis zu 150 mm Durchmesser abgetragen und eine plane polierte Oberfläche generiert werden.

Lieferung einer CMP-Anlage für das Innovationszentrum Hamburg einschließlich Ab- und Inbetriebnahme, Schulung, Service und Wartung. Zur Planarisierung und zum Polieren von Substratoberflächen wird eine Anlage zum chemisc