Entwicklung SiC-Gapschalter
Tender information
DE_BKMSDarmstadt, Germany
- Type
- goods (tender)
- Procedure
- Negotiated with prior publication of a call for competition / competitive with negotiation
- Ref. number
- f77ef0e1-a71f-45fe-9d0b-20c62133ed4c
- CPV
- 31712117
Entwicklung und der Fertigung zweier schneller Halbleiter-Gapschalter auf Basis von Siliziumcarbid-Technologie (SiC), Ihr Einsatzgebiet ist das Kurzschließen von Hochfrequenzkavitäten in den Synchrotron- und Speicherrin…