CMP für das Innovationszentrum Hamburg

auf Wafern mit bis zu 150 mm Durchmesser abgetragen und eine plane polierte Oberfläche generiert werden.

Zur Planarisierung und zum Polieren von Substratoberflächen wird eine Anlage zum chemisch-mechanischen Polieren (chemical-mechanical polishing CMP) benötigt. Mit diesem Verfahren sollen Silizium, Dielektrika und Metalle