Reaktives-Ionenätzen-System

zen der III-V-Verbindungshalbleiter GaAs und InP sowie das Ätzen von dielektrischen Materialien wie zum Beispiel SiO2 und Si3N4 ermöglichen. Weitergehende Informationen sind der beigefügten Leistungsbeschreibung (Vertragsunterlagen) zu entnehmen.

Für die Prozessierung von Halbleiterbauelementen im Rahmen der Forschung und Entwicklung wird ein erprobtes System für das Reaktive Ionen Ätzen (RIE) benötigt. Das RIE-System muss das kontrollierte und reproduzierbare Ät