Kupfer-Backend-Prozessierung auf vorgefertigten Wafern

isierung) gefertigt werden. Das Backend soll mindestens folgende Spezifikation einhalten: - Mindestens 4 dünne Cu-Leitbahnen im 130nm Technologieniveau. - Mindestens 2 dicke Cu-Leitbahnen mit 3µm Dicke - Eine Top-Metallleitbahn aus Aluminium mit mindestens 2,5µm Dicke. - Des Weiteren soll ein MIM K

ondensator mit mindestens 2fF/µm2 Flächendichte im Backend zur Verfügung stehen. - Das Backend soll eine qualifizierte Passivierung enthalten. Es sollen in den nächsten 3 Jahren pro Jahr mindestens 3 Maskensätze und ungefähr 36 Wafer mit