OV_LK_08-26-0654 Cz-Züchtungsanlage-Oxide-2027

vice im Störungsfall. Die Anlage ermöglicht das Züchten von Oxid-Einkristallen, insbesondere von Ga₂O₃, aus der Schmelze mittels des Czochralski-Verfahrens. Es werden Kristalldurchmesser von mindestens 50 mm (2 Zoll) und maximal 100 mm (4 Zoll) sowie ein Kristallgewicht von bis zu 5 kg erreicht. De

r Kristallwachstumsprozess findet in einer doppelwandigen, wassergekühlten Kammer aus Edelstahl statt, in der durch vorheriges Evakuieren und anschließendes Befüllen mit Gasen unterschiedliche Gasatmosphären eingestellt werden. Der Prozess