Rahmenvertrag SiC Gap-Schalter
Tender information
DE_BKMSDarmstadt, Germany
- Type
- goods (tender)
- Procedure
- Negotiated with prior publication of a call for competition / competitive with negotiation
- Ref. number
- d6edfb69-c293-4371-8e30-23b95c837050
- CPV
- 31712117
Entwicklung und Fertigung von schnellen Halbleiter-Gapschaltern auf Basis von Siliziumcarbid-Technologie (SiC). Ihr Einsatzgebiet ist das Kurzschließen von Hochfrequenzkavitäten in den Synchrotron- und Speicherringen bei…