Entwicklung SiC-Gapschalter
Tender information
DE_BKMSDarmstadt, Germany
- Type
- goods (tender)
- Procedure
- Negotiated with prior publication of a call for competition / competitive with negotiation
- Ref. number
- 68321939-048b-4ade-9d3e-4224e7ddb89d
- CPV
- 31712117
Entwicklung und der Fertigung zweier schneller Halbleiter-Gapschalter auf Basis von Siliziumcarbid-Technologie (SiC), Ihr Einsatzgebiet ist das Kurzschließen von Hochfrequenzkavitäten in den Synchrotron- und Speicherrin…