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Entwicklung SiC-Gapschalter

Deadline:18 Aug 2025, 00:00 CEST

Tender information

TED EU

Darmstadt, Germany

Type
16
Procedure
neg-w-call
Ref. number
487308-2025
CPV
31712117

Entwicklung und der Fertigung zweier schneller Halbleiter-Gapschalter auf Basis von Siliziumcarbid-Technologie (SiC), Ihr Einsatzgebiet ist das Kurzschließen von Hochfrequenzkavitäten in den Synchrotron- und Speicherring

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