Entwicklung SiC-Gapschalter
Tender information
DE_BKMSDarmstadt, Germany
- Type
- goods (award)
- Procedure
- Negotiated with prior publication of a call for competition / competitive with negotiation
- Ref. number
- adb20674-58fa-490e-89ec-5d0905ff98b0
- Estimated value
- 458,460 EUR
- CPV
- 31712117
Entwicklung und der Fertigung zweier schneller Halbleiter-Gapschalter auf Basis von Siliziumcarbid-Technologie (SiC), Ihr Einsatzgebiet ist das Kurzschließen von Hochfrequenzkavitäten in den Synchrotron- und Speicherrin…